نانو سیم با ضخامت ۳ اتم

لینک دانلود ویدئو-3.3 مگابایت

How to create nanowires only three atoms wide with an electron beam

این تصویر مربوط به باریک‌ترین نانو-سیم دنیا است که می‌تواند مهم‌ترین نقش را در تولید ابزارهای انعطاف‌پذیر و بسیار باریک آینده ایفا کند. این نانو-سیم از تحت فشار قراردادن یک لایه نیمه هادی توسط یک پرتو الکترون ساخته شده است.

این نانوسیم که از یک لایه نیمه هادی با یک پرتو الکترون ساخته شده می‌تواند در ترانزیستورها و گیت‌های حافظه مورد استفاده قرار گیرد. در حال حاضر نیز از نانو-سیم‌ها در تولید ترانزیستورها و برقرای ارتباط بین بخش‌های مختلف مدارهای الکترونیکی استفاده می‌شود، اما هیچ‌کدام از نانوسیم‌های فعلی تا به حال به این اندازه باریک نبوده‌اند.

اگر دانشمندان بتوانند از این نانو-سیم در یک محصول نهایی استفاده نمایند آن‌وقت ساخت گجت‌هایی که به اندازه یک کاغذ ضخامت دارند میسر خواهد شد. در آن زمان شما می‌توانید تبلت، تلفن یا حتی تلویزیون خود را در کیف‌تان جای دهید.  

از این تکنیک می‌توان برای تولید مدارهای سه‌بعدی نیز بهره برد. هنوز فاصله بسیاری برای نهایی شدن این فناوری و استفاده از آن در دنیای خارج از آزمایشگاه داریم، اما ساخت نانوسیمی به این باریکی می‌تواند تحول بزرگی را در ابزارهای الکترونیکی و گجت‌ها ایجاد کند.

Junhao Lin, a Vanderbilt University Ph.D. student and visiting scientist at Oak Ridge National Laboratory (ORNL), has found a way to use a finely focused beam of electrons to create flexible metallic wires that are only three atoms wide: One thousandth the width of the microscopic wires used to connect the transistors in today's integrated circuits and some of the smallest wires ever made. The discovery gives a boost to efforts.