لینک دانلود کل 10 صفحه مطلب  و تصاویر

الف )رسوب فیزیکی بخار PVD فرایند رسوب فیزیکی بخار ، فرایندی برای لایه نشانی انواع مواد بر روی زیرلایه های مختلف با استفاده از فاز بخار می باشد. نقطه آغازین این فرایند تلاش های انجام گرفته در دهه 1800 میلادی بود. صنعتی شدن  رسوب فیزیکی بخار به سال های پس از جنگ جهانی دوم باز می گردد.

رسوب فیزیکی بخار شامل سه روش مختلف رسوب دهی است. تبخیر، پراکنش و قوس کاتدی روش های مختلف به کار رفته برای رسوب فیزیکی بخار است.
 رسوب فیزیکی بخار فرایندی دوستدار محیط زیست است که تحت خلا انجام شده و امکان اعمال پوشش های ظریف با ضخامت یکنواخت و سختی مناسب را در اختیار کاربر قرار می دهد. اجزا مختلف با گستره ای از جنس های متفاوت از فولاد تا انواع پلاستیک را می توان با استفاده از این فرایند تحت پوشش دهی قرار داد.
 یک نوع رسوب دهی تحت خلاء می باشد که این واژه عموماً برای هر نوع دیگر رسوب دهی فیلم های نازک که توسط متراکم کردن مواد تبخیر شده بر روی یک سطح متفاوت دیگر انجام شود نیز اطلاق می گردد.
روش پوشش دهی شامل فرایندهایی می باشد کاملاً فیزیکی بوده نظیر تبخیرسازی دما بالا تحت خلاء یا بمباران کاتدی تحت پلاسما که گاهی اوقات در سطحی که رسوب بر روی آن بایستی انجام شود یک واکنش شیمیایی را در برخواهد داشت.
مزایا:
1) پوشش های PVD در گستره ای از دماهای مختلف از دمای اتاق تا دمای 500 درجه سانتی گراد امکان اعمال بر روی قطعات را دارند.
2 ) پوششی بسیار یکنواخت را نتیجه داده و چسبندگی پوشش با زیرلایه را در مقایسه با برخی از روش های پوشش دهی، تا بیش از شش برابر افزایش می دهد.
3) در مقایسه با افزایش طول عمر و کیفیت بالای پوشش های PVD، هزینه آن منطقی و حتی پایین ارزیابی می شود.
4) رنگ زیبای حاصل از اکثر پوشش های PVD امکان استفاده از آن در قطعات لوکس و دکوری را نیز فراهم نموده است.


 ب )رسوب شیمیایی بخار CVD  در این روش بر اساس واکنش شیمیایی بین یک فاز گازی و سطح گرم شده یک زیر لایه به منظور ایجاد یک پوشش است می توان دامنه وسیعی از پوشش های فلزی و سرامیکی را پوشش داد. مثلاً تانتالیم برای خوردگی یا کاربید تیتانیم برای سایش لایه های تزئینی یا نیمه هادی ها یا تولید لایه های مغناطیسی و نوری همچنین این روش را می توان برای لایه های بسیار نازک استفاده کرد . واکنش ها در این روش معمولاً در محدودۀ 150 تا 2200 درجه سانتی گراد انجام می شود. اگر تشکیل رسوب همراه با نفوذ بین اتم های رسوب و زیر لایه نباشد لایه هایی با ترکیب شیمیایی کاملاً مستقل و مجزا از زیر لایه تشکیل می شود تحت چنین شرایطی می توان از عدم چسبندگی بین پوشش و زیر لایه استفاده کرد و یک لایه نازک آزاد از جنس فلز پوشش تهیه کرد مثلاً یک لایه نازک AL تولید کنیم.

اگر اتم های رسوب و زیر لایه بتوانند در زیر لایه نفوذ کنند تحت چنین شرایطی اتصالات قوی یا زیر لایه حاصل می شود و امکان تشکیل ترکیبات و یا آلیاژها در فصل مشترک زیر لایه رسوب وجود دارد.

برخی از پارامترها عبارتند از دما، فشار، نرخ جریان گاز نحوه حرارت دادن زیر لایه و همچنین شکل کلی دستگاه و تجهیزات مورد استفاده ......

کل مطلب در لینک کل 10 صفحه